Stokta var: 59553
SI7882DP-T1-E3'ın distribütörünü çok rekabetçi bir fiyatla stokluyoruz.Hızlı RFQ formunu kullanarak SI7882DP-T1-E3 en yeni Pirce, Envanter ve teslim süresine şimdi göz atın.SI7882DP-T1-E3'ın kalitesi ve özgünlüğüne olan bağlılığımız değişmez ve SI7882DP-T1-E3'ın bütünlüğünü sağlamak için sıkı kalite denetimi ve teslimat süreçleri uyguladık.SI7882DP-T1-E3 veri sayfasını burada da bulabilirsiniz.
Standart Ambalaj Entegre Devre Bileşenleri SI7882DP-T1-E3
Id @ Vgs (th) (Max) | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.) | ±8V |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi | PowerPAK® SO-8 |
Dizi | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max) | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max) | 1.9W (Ta) |
paketleme | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu | PowerPAK® SO-8 |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL) | 1 (Unlimited) |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
FET Tipi | N-Channel |
FET Özelliği | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı) | 2.5V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin) | 12V |
Detaylı Açıklama | N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 13A (Ta) |