Stokta var: 53373
IPD30N08S222ATMA1'ın distribütörünü çok rekabetçi bir fiyatla stokluyoruz.Hızlı RFQ formunu kullanarak IPD30N08S222ATMA1 en yeni Pirce, Envanter ve teslim süresine şimdi göz atın.IPD30N08S222ATMA1'ın kalitesi ve özgünlüğüne olan bağlılığımız değişmez ve IPD30N08S222ATMA1'ın bütünlüğünü sağlamak için sıkı kalite denetimi ve teslimat süreçleri uyguladık.IPD30N08S222ATMA1 veri sayfasını burada da bulabilirsiniz.
Standart Ambalaj Entegre Devre Bileşenleri IPD30N08S222ATMA1
Id @ Vgs (th) (Max) | 4V @ 80µA |
---|---|
Vgs (Maks.) | ±20V |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi | PG-TO252-3 |
Dizi | OptiMOS™ |
Id, VGS @ rds On (Max) | 21.5 mOhm @ 50A, 10V |
Güç Tüketimi (Max) | 136W (Tc) |
paketleme | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler | IPD30N08S2-22 IPD30N08S2-22-ND IPD30N08S222ATMA1TR SP000252169 |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL) | 1 (Unlimited) |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu | Lead free / RoHS Compliant |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 57nC @ 10V |
FET Tipi | N-Channel |
FET Özelliği | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı) | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin) | 75V |
Detaylı Açıklama | N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 30A (Tc) |