Stokta var: 52925
SI3464DV-T1-GE3'ın distribütörünü çok rekabetçi bir fiyatla stokluyoruz.Hızlı RFQ formunu kullanarak SI3464DV-T1-GE3 en yeni Pirce, Envanter ve teslim süresine şimdi göz atın.SI3464DV-T1-GE3'ın kalitesi ve özgünlüğüne olan bağlılığımız değişmez ve SI3464DV-T1-GE3'ın bütünlüğünü sağlamak için sıkı kalite denetimi ve teslimat süreçleri uyguladık.SI3464DV-T1-GE3 veri sayfasını burada da bulabilirsiniz.
Standart Ambalaj Entegre Devre Bileşenleri SI3464DV-T1-GE3
Id @ Vgs (th) (Max) | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.) | ±8V |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi | 6-TSOP |
Dizi | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max) | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max) | 2W (Ta), 3.6W (Tc) |
paketleme | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Diğer isimler | SI3464DV-T1-GE3TR SI3464DVT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL) | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi | 27 Weeks |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu | Lead free / RoHS Compliant |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1065pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs | 18nC @ 5V |
FET Tipi | N-Channel |
FET Özelliği | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı) | 1.8V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin) | 20V |
Detaylı Açıklama | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 8A (Tc) |